【48812】半导体发光二极管的基本原理

  自发性(Spontaneous)的发光是由于电子与空穴的复合而发生的。一般的,多以Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为资料。图1示出的是Ⅲ- Ⅴ及Ⅱ-Ⅵ族元素的带隙(Bandgap)与晶格常数(Lattice Constant)的联系。由图可知,这些资料的发光规模由红光到紫外线,现在红光的资料首要有AlGaInP,而蓝绿光及紫外线的首要资料则有 AlGaInN。尽管Ⅱ-Ⅵ族资料也可以取得红光和绿光,可是这族资料极为不稳定,所以现在运用的发光资料大部分是Ⅲ-Ⅴ族。

  发光功率与资料是不是为直接带隙(Direct Bandgap)有关,图2(a)是直接带隙资料,包含GaN-InN-AlN、GaAs、InP、InAs及GaAs等,这些资料的导带最低点与价带最高点在同一K空间。所以电子与空穴可以轻松又有效地再复合(Recombination)而发光。而图2(b)的资料均是直接带隙(Indirect Bandgap),其带隙即导带最低点与价带最高点不在同一K空间,致使电子与空穴复合时除了发光外,还需求声子(Phonon)的协作,所以发光功率低。现在发光二极管用的都是直接带隙的资料。

  在直接带隙资猜中,电子与空穴复合时,其发光跃迁(Radiative Transition)有多种可能性,如图3所示。图3(a)是带间复合,图3(b)是自在激子(Exciton)彼此抵消,图3(c)是在能带势能动摇区域低势能区部分捆绑激子的再复合。图3(a)及(b)是一般AlGaInP红光LED发生光的原理,而图3(c)则是AlGaInN的蓝光及绿光LED发生光的原理。{{分页}}

  上述的“复合”是由于自身内部(Intrinsic)发生的,可是假定将杂质(Impurity)掺入半导体,则会在带隙中发生施主(Donor)及受主(Acceptor)的能级,因而又可能会发生不同的复合而宣布光如图4所示。图4(a)是受主与导带复合,图4(b)是施主与价带复合,图4(c)是施主与受主的再复合,图4(d)是激子再复合。

  当电子与空穴复合而发生光时,这些光被称为自发辐射(Spontaneous Emission),其光的方向如图5(a)所示,是多方向的,这是发光二极管的发光特性。可是,假如宣布的光是激起辐射(Stimulated)的,如图5(b)所示其方向共同,则此种元件被称为半导体激光二极管(LD:Laser Diode)。现在要得到高功率LED便是要得到十分高的自发辐射。

  图6所示为发光二极管pn结(Junction)的能带结构,p型半导体是掺杂了受主杂质,而n型则是掺杂了施主杂质,将两种资料放在一同即得到pn结。 n型半导体中发生电子,p型半导体中发生空穴,在其间心发生耗尽层(Depletion Layer)。当正向偏压(Forward Bias)加在pn结时,剩余的载流子(Carrier)会经过耗尽至而浸透至对方。图6所示的是pn结能带,其间,图6(a)表明在平衡状况,图6 (b)表明在正向偏压时,图6(c)表明在注入高密度电流时的电子与空穴复合发生光的状况,至于不发光的复合,则有经过禁带中心深能级(Deep Trap Center)的复合以及在晶体中发生的热能丢失。{{分页}}

  一切的发光元件都需求具有高的内部量子功率(Internal Quantum Efficiency),即发生的光子(Photon)与进入pn结内的载流子之比,一起也要有高的外部量子功率(External Quantum Efficiency),即发生的发光光子数目与跳过pn结的载流子数目之比,外部量子功率比内部量子功率低,原因之一是有些光在资料外表辐射之前被吸收,并且光抵达外表时只要低于临界角(Critical Angle)的光才干辐射。

  要得到高的内部量子功率,一部分与结构有关,简略的pn结用同质结构(Homo-Structure)不易得到高功率,由于pn结资料间折射率之差低,光的阈值也低,其成果如图7(a)所示。用图7(b)所示的双异质结构(DH:Double-Hetero Structure),能大大的提高功率。在双异质结构中,pn结资料与中心活性层(Active Region)的资料不同,带隙较高,可以取得较高的折射率之差,所辐射的光不光强并且半高宽较窄,如图7(b)所示,所以此种结构已彻底替代同质结构。

  现在,LED的活性层也采用了半导体激光器所用的量子阱(Quantum Well)结构,图8所示是量子阱能带图。当活性层的厚度减小到与德布罗意(de Broglie)波长附近时,量子力学现象呈现,这些薄的活性层便是量子阱,量子阱的数目可所以一个到数十个,量子阱的带隙是不接连的(Discrete),也是别离的。用量子阱可以取得小的临界电流(Threshold Current),一起量子阱的资料能改动晶格不匹配以发生压缩性或许蔓延性应变(Strain),这些应变能改动波长并削减临界电流。

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